Артикул
PMGD780SN.115
Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
1.39 руб.
Без НДС
25+
1.21 руб. /шт.
Без НДС
100+
1.09 руб. /шт.
Без НДС
500+
0.96 руб. /шт.
Без НДС
3000+
0.86 руб. /шт.
Без НДС
Срок поставки: 3-4 недели
-
+
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт; SOT363
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
- Характеристики
-
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,31А; 410мВт; SOT363
-
Артикул PMGD780SN.115 Производитель/Торговая марка NEXPERIA Монтаж SMD Базовая единица pcs Корпус SOT363 Температурная стабильность PMGD780SN.115 Напряжение сток-исток 60В Напряжение затвор-исток ±20В Ток стока 0,31А Сопротивление в открытом состоянии 1,7Ом Тип транзистора N-MOSFET x2 Рассеиваемая мощность 410мВт Полярность полевой Вид упаковки лента Заряд затвора 1,05нC Допустимая замена Вид канала обогащенный